大容量内存新突破
尽管当前内存市场价格上涨的市场动态令人关注，但技术创新仍在持续推进。Adata和MSI的联合公告，以及SK Hynix的技术传闻，为追求极致内存性能的用户带来新选择。
Adata和MSI合作开发的新型DDR5内存模块即将面市。目前AMD和英特尔（Intel）最新的高端桌面平台（X870E和Z890）最多支持256GB内存，通常需要安装四个64GB内存条才能达到，且会被迫降至4800 MT/s的低速运行。
CUDIMM技术创新
新推出的4-rank CUDIMM（Clock-Up DIMM）模块提供了解决方案。这种内存条单条容量可达128GB，额定运行速度达5800 MT/s，MSI实验室更成功将其超频至10,000 MT/s。
这一突破源于采用微型时钟驱动芯片，该芯片作为信号中继器支持更高时钟速度或更大容量。英睿达（Crucial）已在其64GB DDR5-6400 CUDIMM产品中应用此技术。
HBS混合架构创新
SK Hynix正在开发名为HBS（High Bandwidth Storage）的创新技术，将DRAM和NAND闪存层交替堆叠，通过垂直扇出技术连接。该技术主要面向移动设备，为移动SoC提供高带宽内存和存储访问能力，特别适合本地AI模型运行。
市场展望
这两项技术预计将在2026年面市。考虑到当前内存价格走势，新技术产品的价格可能会相当高。值得注意的是，CUDIMM主要支持英特尔Z890主板，部分B860主板可能兼容，但AMD主板因不支持时钟驱动芯片而无法使用。